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山本 章; 八剣 達雄*
原子力工業, 25(1), p.65 - 69, 1979/00
シリコンを中性子照射してリンをドーピングする技術は1977年には実用段階に入り、主に大電力用素子の生産に用いられている。そして今やこのNTDシリコンは、世界の主要研究炉で照射され、生産されており、その抵抗率分布が均一であるという優れた特性によって市場を拡大している。NTDの技術は、半導体産業が原子力技術を生産に応用した点で画期的であり、また中性子による核変換によって生成した安定核種に着目する点でユニークである。この報告は、NTDの原理開発の歴史、在来法との比較、そして原子炉による照射技術について概観したものである。
